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DSIMS技術如何實現(xiàn)元素分析?

更新時間:2025-06-27點擊次數(shù):137
  DSIMS(動態(tài)二次離子質(zhì)譜)技術實現(xiàn)元素分析主要通過以下方式:
  一、離子源轟擊樣品
  1、產(chǎn)生一次離子束:DSIMS利用電子光學方法將惰性氣體等物質(zhì)形成初級離子,并通過加速和聚焦形成細小的高能離子束。常見的一次離子包括銫(Cs?)或氧(O??)離子等,這些離子在加速電壓作用下獲得特定能量。
  2、轟擊樣品表面:高能的一次離子束以一定的能量和束流大小轟擊樣品表面,這一過程使樣品表面的原子或分子獲得能量。
  二、二次離子產(chǎn)生
  1、濺射過程:一次離子束轟擊樣品表面時,與樣品表面的原子或分子發(fā)生相互作用,導致樣品表面的原子或分子獲得足夠的能量而掙脫束縛,形成帶正或負電荷的二次離子。這個過程如同撞擊巖石使其產(chǎn)生碎屑,只不過這里的“碎屑”是帶電的離子。
  2、攜帶樣品信息:產(chǎn)生的二次離子攜帶著樣品表層及一定深度范圍的元素、同位素等信息,是后續(xù)質(zhì)譜分析的基礎,就像從碎屑的成分可以推斷出巖石的組成一樣。
 

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀

 

  三、質(zhì)量分析
  1、選擇合適的質(zhì)量分析器:常用的質(zhì)量分析器有磁質(zhì)譜或四極桿質(zhì)譜等。磁質(zhì)譜利用磁場對不同質(zhì)荷比(m/z)的離子進行偏轉(zhuǎn)分離,根據(jù)離子在磁場中運動軌跡的差異,實現(xiàn)按質(zhì)荷比分類;四極桿質(zhì)譜則通過交變電場營造動態(tài)篩選環(huán)境,僅允許特定質(zhì)荷比范圍內(nèi)的離子穩(wěn)定通過,像精細的“篩子”一樣精準篩選目標離子。
  2、確定元素種類:經(jīng)過質(zhì)量分析器后,不同質(zhì)荷比的二次離子被分離,根據(jù)已知元素的質(zhì)荷比信息,就可以確定樣品中所含的元素種類。例如,質(zhì)荷比為24的離子可能是鎂離子(Mg²?),質(zhì)荷比為28的離子可能是硅離子(Si?)等。
  四、離子探測與信號處理
  1、離子探測:離子探測器作為“情報接收站”,敏銳捕捉經(jīng)過質(zhì)量分析后的離子信號。電子倍增器、法拉第杯等探測器各司其職,電子倍增器憑借高增益特性,將微弱離子流放大,把極其微量的二次離子信號轉(zhuǎn)化為可觀電信號;法拉第杯則以穩(wěn)定可靠著稱,精準測量較大離子流強度。
  2、信號處理與分析:將探測到的離子信號進行處理,得到二次離子的強度等信息,結合元素的標準圖譜和已知的質(zhì)荷比關系,進一步確定樣品中元素的含量、分布等情況,從而實現(xiàn)對樣品的元素分析。
 

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